功能描述：MOSFET N-CH TO252

制造商：alpha & omega semiconductor inc.

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A（Ta），19A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：8.1nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：432pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：4.2W（Ta），21W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：37 毫欧 @ 12A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,500

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